محمدجلال رستگار فاطمی

در این پژوهش، ما به شبیه سازی دقیق سلول های خورشیدی CIGS با استفاده از درجه بندی شکاف نواری band-gap می پردازیم. هدف اصلی ما این است که خواص الکتریکی و نوری این سلول ها را بهبود بخشیم. به منظور بررسی عملکرد، تغییر ضخامت لایه جاذب را نیز به عنوان یک عامل کلیدی مورد ارزیابی قرار می دهیم. به ویژه، ما به تحلیل تأثیر این تغییرات بر راندمان و ضریب پرشدگی سلول ها می پردازیم. در سلول های خورشیدی معمولی CIGS، راندمان حدود ٪20.8 است که تا به حال دست یافته ایم. اما با بهره گیری از درجه بندی شکاف نواری بر روی لایه جاذب و با بهره گیری از تکنیک های مهندسی در لایه های جاذب و بافر، ما به تحسین برانگیزترین راندمان تا به حال برابر با ٪33.7 دست یافته ایم. این افزایش نتیجه ی دستاوردهای موفق در بهینه سازی ساختار و خواص سلول ها است. به طور خلاصه، مقادیر پارامترهای مهم خروجی برای این سلول های پیشرفته شامل بازده ٪33.7، ضریب پرشدگی ٪79، ولتاژ مدار باز 1 میلی ولت و جریان کوتاه مدار 40.96 میلی آمپر بر سانتی متر مربع می باشد.